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IRLR/U3303PbF
1600
1400
1200
1000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C iss C oss = C ds + C gd
C oss
15
12
9
I D = 20A
V DS = 24V
V DS = 15V
800
600
6
C rss
400
3
200
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
SEE FIGURE 13
30
40
A
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
T J = 175°C
T J = 25°C
100
10
10μs
100μs
1ms
V GS = 0V
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0 2.5
A
1
1
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
10
10ms
A
100
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating
Area
www.irf.com
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